製品の紹介
FCBGAのフルネームFlip Chip Ball Grid Arrayは、直訳するとフリップチップボールゲートアレイパッケージであり、ベアチップを直接反転して基板に実裝する集積回路パッケージ技術(shù)であり、電気的接続點として微小な半田ボールを用いて、チップと基板の相互接続を?qū)g現(xiàn)する。
製品の特徴
高密度相互接続：大量のI/Oピンをサポートし、ピンはアレイ形式でパッケージ底面全體に分布し、従來のパッケージよりも高いピン密度を?qū)g現(xiàn)でき、高性能計算、通信裝置などの高データ伝送速度と低遅延に対する要求を満たすことができる。
低インダクタンスと低抵抗接続：チップと基板の間の距離が近く、信號伝送路が短く、寄生インダクタンス、抵抗などの効果を減少し、信號の完全性と性能を高め、比較的に高い周波數(shù)に耐えられ、有効に超周波限界を突破できる。
より良い放熱性能：基板に直接接觸する設(shè)計は熱の迅速な伝導(dǎo)に有利であり、チップ裏面は空気に接觸して直接放熱することができ、また基板金屬層または金屬放熱フィンを裝填するなどの方式を通じて放熱能力をさらに強化し、チップの高速運転時の安定性を高めることができる。
小型化：従來のワイヤボンディングパッケージと比べて、FCBGAはパッケージサイズを大幅に削減でき、モバイル機器、ウェアラブル機器などの空間要求の厳しい応用場面に適している。
適用＃テキヨウ＃
CPU、GPU、5G基地局、光通信モジュール、スマートホーム、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)制御、モノのインターネットなどの分野など、FCBGAパッケージはその高いデータ処理と伝送需要を満たすことができる。
プロセスの特徴
チップ接続方式が獨特

フリップチップ技術(shù)を用いて、チップの金屬接點はパッケージ基板上の半田ボールガスケットに直接接続される。ダイとキャリアとの相互接続は、ダイの表面に直接配置された導(dǎo)電性の「バンプ」によって実現(xiàn)され、その後、チップを反転して面を下にして配置され、バンプはキャリアに直接接続される。この接続方式はチップと基板の間の接続距離を短縮し、信號伝送遅延を低減し、チップの下に他の機能のためにより多くの空間を殘すことができる。
パッケージ基板特殊

FCBGAパッケージ基板は、通常、日本の味の素製味の素積層誘電體薄膜（ABF）を積層絶縁誘電體材料として、半付加法（SAP）を用いて製造される。層數(shù)が多く、面積が大きく、線路密度が高く、線幅線距離が小さい、貫通孔、盲孔徑が小さいなどの特徴があり、LSIチップの高速化と多機能化を?qū)g現(xiàn)することができるが、加工難易度は他のパッケージ基板よりはるかに大きい。
電気性能に優(yōu)れている

溶接ボールを通じて電気的接続を?qū)g現(xiàn)し、低抵抗、低インダクタンス、良好な信號伝送特性を有する。高速信號伝送時に信號の完全性をよりよく維持し、信號歪みを減少させ、データ伝送の正確性と速度を高め、それによってチップの全體的な性能を向上させ、特に高速通信、高周波信號処理などの電気性能に対する要求が高い応用シーンに適している。
複數(shù)のチップタイプに対応

CPU、マイクロコントローラ、GPUなどの高性能チップをはじめ、ネットワークチップ、通信チップ、ストレージチップ、デジタル信號プロセッサ（DSP）、センサ、オーディオプロセッサなど、さまざまな種類のチップに適しています。異なるタイプのチップのパッケージ要件を満たすことができ、異なる動作環(huán)境で安定した性能を維持することができます。

Substrate Size(mm) 240×76.3

Underfill type: CUF/MUF

Assy Yield 99.9%

Tester:S100、J750、V93K,Handler:CRH8508、HT-1028C